Anadan olduğu yer | Azərbaycan Respublikası, Tovuz ray., Alakol k. | |
Təvəllüdü | 09.05.1937 | |
Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi | Bakı Dövlət Universiteti | |
Elmi dərəcəsi | Fizika-riyaziyyat üzrə fəlsəfə doktoru | |
Elmi rütbəsi | ||
Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:
- ixtisas şifri - ixtisasın adı - mövzunun adı |
01.04.10 Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası Ge-Si bərk məhlullarında aşqarların qarşılıqlı əlaqə |
|
Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı
- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı - beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı |
54 15 10 |
|
Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı | 4 | |
Kadr hazırlığı:
- fəlsəfə doktorlarının sayı |
||
Əsas elmi nailiyyətləri | Müxtəlif aşqarları ilə leqirə olunmuş Ge-Si yarımkeçirici kristallar ənənəvi və modernləşdirilmiş Bricmen üsulları ilə göstərilmişdir və Hall ölçmələri aparmaqla onların elektrofiziki xassələri öyrəndilmişdir. | |
Elmi əsərlərinin adları |
1. Аждаров П.Г., Акперов М.А., Алекперов А.И., Захрабекова З.М. Математическое моделирование распределения компонентов в монокристаллах InSb-AlSb, выращенных методом зонной перекристаллизации. Xəbərlər, fizika-riyyəz. seriyası, 2016, c. XXXVI, № 2, c. 48-52 2. Kazimova V. K., Alekperov A. I., Zakhrabekova Z. M., Azhdarov G. Kh. Distribution of Al and In Impurities along Homogeneous Ge–Si Crystals Grown by the Czochralski Method Using Si Feeding Rod// Crystallography Reports, 2014, Vol. 59, No. 3, pp. 415–417 3. Акперов М.А., Алекперов А.И., Агамалиев З.А., Аждаров Г.Х. Влияние длины зоны расплава на распределение компонентов при зонной перекристаллизации твёрдых растворов InSb-GaSb// Fizika, 2009, c.XV, №3, s. 28-30 4. Акперов М.А., Алекперов А.И., Мир- Багиров В.В., Аждаров Г.Х. Условия роста однородных монокристаллов InSb-GaSb из расплава, подпитываемого вторым компонентом (GaSb) // Xəbərlər, fiz.-riy. seriyasi, 2008, с. ХХVIII, № 5 5. Зейналов З.М., Алекперов А.И., Аждаров Г.Х. Концентрационный профиль примеси бора в кристаллах Ge-Si переменного состава, выращенных методом Бриджмена// Xəbərlər, fiz.-riy. seriyasi, 2007, с. ХХVII, №2, s. 38-42 6. Зейналов З.М., Алекперов А.И., Аждаров Г.Х. Выращивание смешанных монокристаллов GeSi методом Бриджмена с использованием кремниевой затравки// Xəbərlər, fiz.-riy. seriyasi, 2006, c. XXVI, №2, s. 51-54 |
|
Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü | ||
Pedaqoji fəaliyyəti | 1964-1966-cı illərdə - Bərdə rayonun Yeni Daşkənd orta məktəbində fizika müəllimi; 1992-1993 – Azərbaycan Texniki İnstitutunun Tovuz filialında baş müəllimi; 1993-2001 – Azrbaycan Yeyinti Sənaye İnstitutunun fizika-riyaziyyat kafedrasında baş müəllimi | |
Digər fəaliyyəti | ||
Təltif və mükafatları | ||
Əsas iş yeri və ünvanı | AMEA Fizika İnstitutu, AZ1143, AZ1073, Bakı ş., H.Cavid pr., 131 | |
Vəzifəsi | Aparıcı elmi işçi | |
Xidməti tel. | ||
Mobil tel. | (+994 50) 4252613 | |
Ev tel. | (+994 12) 4325789 | |
Faks | ||
Elektron poçtu |