Bağırova Sitarə Məmmədhüseyn qızı

 

Anadan olduğu yer Naxçıvan MR, Naxçıvan şəhəri 
Təvəllüdü 20.02.1958       
Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi Naxçıvan Dövlət Pedoqoji İnstitutu 
Elmi dərəcəsi Fizika-riyaziyyat elmləri üzrə fəlsəfə doktoru
Elmi rütbəsi  
Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:

- ixtisas şifri

- ixtisasın adı

- mövzunun adı



1.01.10

Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası

CdS (p,n tipləri) və Cu2S əsasında yaranmış Şotki çəpərində, p-n keçidində və heterostrukturlarda cərəyan keçmə mexanizmi 
Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı

- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı

- beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı

47

Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı
Kadr hazırlığı:     

- fəlsəfə doktorlarının sayı

 
Əsas elmi nailiyyətləri

Al altlıqda kimyəvi üsulla p-tip nazik CdS təbəqəsinin alınması və onun əsasında yaradılmış Şottki çəpərlərində, p-n keçidinin cərəyankeçmə mexanizmini tədqiq etmişdir. CdS əsasında düzləndirmə əmsalı 2×104 olan nazik təbəqəli p-n keçidi almışdır.

İşığahəssas 105÷109 olan CdS və Cd1-xZnxS (0.1≤x≤0.6) olan nazik təbəqələrdə fotorezistorlar alınmışdır.

CdS monokristalının mislə legirə olunmuş texnologiyasının işləyib optik filtirlər hazırlanmışdır.Ge1-xSix bərk məhlullarının (Si-in miqdarı 3÷30 atm.%-dir) ŞD (Şottki diodu) hazırlanmışdır.

Müəyyən edilmişdir ki, Al–Ge-Si-In, Sb bərk məhlullarında cərəyankeçmə mexanizmi generasiya rekombinasiyasıdır və çəpərin xassələri temperatur artdıqca yaxşılaşır.

Elmi əsərlərinin adları 1. Симметричная N образная вольтамперная характеристика гетероперехода Cu2S-CdS полученного химическим способом, Всесоюзная научно-техническая конференция «Приборы с отрицательным сопротивлением и интегральные преобразователи на их основе», Баку, 1991, с.38

2. Эффекты переключения и памяти в пленочных р-n переходах на CdS полученных методом химического осаж¬дения из раствора, Всесоюзная научно-техническая конференция «Приборы с отрицательным сопротивлением и интегральные преобразователи на их основе»,15-17октября Баку, 1991, с.39

3. Механизм токопрохождениях через барьерные структуры на основе твердых растворов Ge-Si, Примпринт №461, ИФАН Аз.Рес. Баку, 1992

4. Исследование спектров фотолюминесценции CdS р-типа, Б- ГУ, Баку, Физика-93 Тезисы конф., с.25

5. Электрофизического свойства пленок р- CdS полученного химосаждения QÜFK İnstitutu 60 illik yubileyinə həsr olunmuş elmi texniki konfrans, Bakı 1995. c.130

6. Донорного состояния замещающих атомов примеси в кристаллах Ge1-xSix, “Физика” 1998, №3, с.21-24

7. Проводимость пленок Cd1-xZnxS обусловленная потенциальными барьерами, Fizikanın aktual problemləri I Res.elmi konf. Bakı, 1998, 5-6fevralc.69-70

8. Тонкопленочный транзистор на основе Al-CdS, Fizikanın aktual problemləri I Res.elmi konf. Bakı, 1998, 5-6fevralc.251-252

9. Current Transport MOS structures on the base of CdS, Second, Inder naf. Sgmp. On mathematical compututical applications, Baku, September 1999, p.88

10. Бистабильное переключение в барьерных структурах Al-Al2O3-CdSAzer.MEA, xəbərləri az.riy.tex.elm.fizika astronomiya №2, 2000, t.XX, s.59-62

11. Равновесные концентрации расплава германий, кремний непрерывно подпитывающего кремнием при выращивании однородных кристаллов, Физика, 2001, №1, с.12-15

12. Зарядовые состояния и ионизационные потенциала глубоких примесей в системе Ge-Si, First Inter national Conference on Technical and Physical Probleme in Power Enginerity TRE-2002, Ch.Cuvarly 23-25 apr. 2002. Baku

13. Впроведение однородных мо¬нокристаллов Ge-Si из расплава подпитываемого германиевыми и кремневым стержнями, AME. Xəbərləri, Fizika-riyaziyyat texniki elmləri seriyası, fizika astranomiya 2003,№ 2, s.35-38

14. Моделирование композиционного профиля кристаллов JnSb-JnAs, выражаемых методом двойной подпитки расплава, AME. Xəbərləri, Fizika-riyaziyyat texniki elmləri seriyası, fizika astranomiya 2004,№ 5, s.90-93

15. О выращивании однородных- монокристаллов Ge-Si модернизированным методом Бриджмена, Сборник статей конф. посв. 85-летию академика Г.Б. Абдуллаева, 2003, с.138

16. Условия выращивания полностью однородных монокристаллов Ga1-xİnxSb методом двойной подпитки расплава, Матер. Конф. Физика-2005, Баку, с.240-242

17. Легирование пленок Cu2-xS магниточувствительных компонентов (Sm) в процессе электросинтеза, Физика-2005, Баку, с.59-61

18. Distribution of boronimpurity in Ge-Si bulk single crystals Grown from the melt, TPE-06 3rd Intern. Conference on Techn. and Phys. Probl. In Power Engineering, may 29-31, 2006, Ankara, Turkey, s.597-599

19. Switching diode on the base of CdS films, TPE-06 3rd Intern. Conference on Techn. and Phys. Probl. In Power Engineering, may 29-31, 2006, Ankara, Turkey,

20. Влияние Zn на свойства гетеропереходов Al-CdS-Cu2-xS-In, полученных химическим способом, “Fizika”c.XIII, №4, 2007, с.159-162

21. Магниточувствительные диоды на основе электросинтезированных пленок CuSmS2, “Fizika”c.XIV, №3, 2008, с.38-41

22. О выращивании однородных- монокристаллов Ge-Si модернизированным методом Бриджмена, “Fizika”c. XIV, №3, 2008, с.28-31

23. Моделирование рапспределение компонентов в твердых растворах İnSb-GaSb, выращенных методом зонной плавки, Xəbərlər, cild XXIX, №5, 2008

24. The influence of molten zone length on component axial distribution in InAsGaAs ingots at floating-zone refining, Physica-2012, N2, vol.18, p36

25. Axial Distribution of Shallow Acceptor Impurities in Compositionally Graded Ge-Si Alloys Grown from the Melt, 8th Intern. Conference on Techn. and Phys. Probl. Of Power Engineering,(ICTPE-2012)September 5-7, Fredrikstad, Norway p 335-339

Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü   
Pedaqoji fəaliyyəti  
Digər fəaliyyəti  AHİK Məclisinin və AMEA Azad Həmkarlar İttifaqının Rəyasət Heyətinin üzvü, İnstitut HİK–in sədri 
Təltif və mükafatları 1. "Tərəqqi" medalı

2. AHİK yubiley medalı

Əsas iş yeri və ünvanı AMEA Fizika İnstitutu, AZ1143, Bakı ş., H.Cavid pr., 131 
Vəzifəsi Aparıcı elmi işçi, HİK-in sədri 
Xidməti tel. (+994 12) 5395763 
Mobil tel. (+994 50) 6686337 
Ev tel. (+994 12) 5308298 
Faks (+994 12) 5372292 
Elektron poçtu bagirovasitare@rambler.ru