Həsənov Nazim Zahid oğlu

 

Anadan olduğu yer Qrozniy şəh., Rus. Fed. 
Təvəllüdü 06.09.1955 
Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi BDU 
Elmi dərəcəsi Fizika üzrə fəlsəfə doktoru 
Elmi rütbəsi Dosent 
Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:

- ixtisas şifri

- ixtisasın adı

- mövzunun adı



01.04.10

Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası

TlМC2VI (М- In, Ga; C- S, Sе) - tipli laylı monokristalların optik xassələrinə təzyiq, aşqarlanma və interkalyasiyanın təsiri

Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı

- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı

- beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı

122

 

72

 

23
Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı  
Kadr hazırlığı:     

- fəlsəfə doktorlarının sayı

 
Əsas elmi nailiyyətləri İlk dəfə olaraq, Li ionları ilə aşqarlanmış laylı TiGaSe2 monokristallar alınmış, tədqiq olunmuş və interkalyasiyanın onun fiziki xassələrinə təsirinin xarakteri müəyyən edilmişdir. Aşağı temperaturlarda TlGaSe2 və TlGaS2 monokristallarının optik udulma sərhədinin formasına, laylara perpendikulyar olaraq, biroxlu sıxılmanın təsiri öyrənilmişdir. TlGaSe2 və TlGaS2 monokristallarının deformasiya potensiallarının qiymətləri müəyyən edilmiş və onların AIIIBVI tipli kristallarla uyğunluğu tapılmışdır. Müəyyən edilmişdir ki, AIIIBVI kristallarında olduğu kimi TlGaS2 kristallarında da laylara perpendikulyar olaraq, biroxlu təzyiqi otaq temperaturunda olduğu kimi aşağı temperaturlarda eyni deformasiya potensialları ilə təsvir etmək olmaz. Mis və dəmir atomları ilə aşqarlanmış TlGaS2 və TlInS2 monokristallarında aşağı temperaturlu eksiton udulması spektrlərin tədqiqi, aşqarlanmanın dərəcəsindən asılı olaraq, onların gedən dəyişilmənin qanunauyğunluğunu müəyyən etmək imkanı vermişdir. Tl1-XCuXInS2 bərk məhlullarında eksiton halının parametrləri hesablanmışdır. 
Elmi əsərlərinin adları 1. Guseinov G.D., Bagirzade E.F., Abdinbekov S.S., Gasanov N.Z. Modulation Spectra Peculiarities in А3В3X62 Anisotropic Semiconductors. Phys. Stat. Sol(b), 1985, 128, k129-k131.

2. Guseinov G.D., Mystafaeva S.N., Gasanov N.Z., Abdinbekov S.S. Properties of dark current relaxation in TlGaSe2<Li+> Single crystals. Solid State Communications, 1985, vol.56, №11, pp.971-973.

3. Guseinov S.G., Guseinov G.D., Gasanov N.Z., Kyazimov S.B. Special Features of Exciton Absorption Spectra of А3В3X62- Type Layer Semiconductor Crystals. Phys. stat. Sol. (b), 1986, 133, k25-k30.

4. Guseinov G.D., Guseinova R.G., Mustafaeva, S.N., Gasanov N.Z., Guseinov S.G., Abdullaev E.G. Relaxation of electron-ionic processes in intercalated layer and chain crystals of А3В3С62-type semiconductors. Phys. Lett. A, 1986, v.116, №6, p.281-283.

5. Гусейнов Г.Д., Багирзаде Э.Ф., Гасанов Н.З., Мустафаева С.Н. Релаксация темнового и фототока в интеркалированных литием монокристаллах TlGaSe2. ФТП, 1986, т.20, в.6, стр.1127-1129.

6. Aliev V.A., Bagirzade E.F., Gasanov N.Z., Guseinov G.D. Behavior of the Urbach Edge at Phase Transitions in TlGaSe2 Single Crystals. Phys.Stat.sol.(b) 1987, 143, k155-k160.

7. Мустафаева С.Н., Керимова Э.М., Гасанов Н.З. Экситонные характеристики интеркалированного монокристалла TlGaSe2. ФТП, 1998, т. 32, в.2, с.145-147.

8. Мустафаева С.Н., Керимова Э.М., Гасанов Н.З. Экситонные характеристики монокристаллов Tl1-XCuXInS2. ФТТ, 2001, т.43, №3, с.427-430.

9. Allakhverdiev K.R., Mammadov T.G., Suleymanov R.A., Gasanov N.Z. Deformation effects in electronic spectra of the layered semiconductors TlGaS2, TlGaSe2 and TlInS2. Journal of Physics: Condensed Matter, 2003, v.15, p.1291-1298.

10 Н.З. Гасанов, Э.М. Керимова, А.И. Гасанов, Ю.Г. Асадов. Оптические свойства и параметры кристаллической решетки твердых растворов TlGa1-xFexSe2. Физика Низких Температур, 2007, т. 33, вып. 1, c.115-118.

11. R.G.Veliyev, M.Yu.Seyidov, N.Z. Gasanov, F.M. Seyidov. The magneto-dielectric properties of compounds and alloys in the systems of TlInS2-TlFeS2, TlInS2-TlFeSe2. Journal of Alloys and Compounds, 2010, vol.506, number 2, p.800-803.

12. Мустафаева С.Н., Асадов М.М., Кязимов С.Б., Гасанов Н.З. Диаграмма состояния системы TlGaS2-TlFeS2 и ширина запрещенной зоны монокристаллов TlGa1-хFeхS2 (0 ≤ x ≤ 0.01). Неорганические Материалы, 2012, Т. 48, № 10, c.1110– 1113.

13. R.G. Veliyev, Mir-Hasan Yu. Seyidov, E.M. Kerimova, N.Z. Gasanov, R.Z. Sadikhov, Yu.G. Asadov, F.M. Seyidov. Phase Transitions and their co-existence in the TlGaSe2-TlCrS2(Se2) system. Bull. mater. Sci., 2013, v.36, No4, pp.693-698.

Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü   
Pedaqoji fəaliyyəti  
Digər fəaliyyəti   
Təltif və mükafatları  
Əsas iş yeri və ünvanı AMEA Fizika İnstitutuAZ1143, Bakı ş., H.Cavid pr., 131
Vəzifəsi Aparıcı elmi işçi 
Xidməti tel. (+994 12) 5395913 
Mobil tel. (+994 50) 3559543 
Ev tel. (+994 12) 5954389 
Faks (+994 12) 5395961 
Elektron poçtu ngasanov@yandex.ru