Şərifov Qalib Mövsüm oğlu

 

Anadan olduğu yer Azərbaycan, Bakı 
Təvəllüdü 06.10.1980 
Bitirdiyi ali təhsil müəssisəsi Azərbaycan Dövlət Pedoqoji Universiteti 
Elmi dərəcəsi Fizika üzrə fəlsəfə doktoru 
Elmi rütbəsi  
Namizədlik (PhD) dissertasiyasının mövzusu:

- ixtisas şifri

- ixtisasın adı

- mövzunun adı



01.04.10

Yarımkeçiricilər və dielekrtiklər fizikası

TlGaSe2 tipli seqnetoelektrik–yarımkeçiricilərdə nisbətsiz fazanın termik yaddaş effektinə xarici təsirlərin tədqiqi 
Çapdan çıxmış elmi əsərlərinin ümumi sayı

- xaricdə çıxmış elmi əsərlərinin sayı

- beynəlxalq bazalarda referatlaşdırılan və indeksləşdirilən jurnallarda çap olunan məqalələrin sayı

19

 

13

 

Müəlliflik şəhadətnamələrinin və patentlərin sayı  
Kadr hazırlığı:     

- fəlsəfə doktorlarının sayı

 
Əsas elmi nailiyyətləri

Müəyyən olunmuşdur ki, TlGaSe2 və TlInS2 kristallarında nisbətsiz fazada müəyyən temperaturda izotermik saxlama nəticəsində daxili termoelektret sahəsi meydana çıxır. Bu sahənin qiyməti nisbətsiz fazanın termik yaddaş effektinə xarici elektrik sahəsinin təsiri nəticəsində artır, işığın təsiri nəticəsində isə azalır və nəticədə uyğun olaraq kristalın əvvəlki halını “yada salma” temperaturu saxlama temperaturuna nisbətən bir neçə dərəcə yuxarı və aşağı temperaturlara doğru sürüşür.

La ilə aşqarlanmış TlInS2 kristalının nisbətsiz fazasının termik yaddaş effektinin araşdırılması göstərdi ki, termik yaddaş effekti saxlama temperaturunun seçilməsindən asılı olmayaraq yalnız 203÷206K temperatur oblastında baş verir. Bu TlInS2 kristallarında daxili termoelektret sahəsinin yuxarıda qeyd olunan temperatur oblastında yeni metastabil faza yaratması və TlInS2<La> kristalında daha da güclənmiş daxili termoelektret sahəsi altında mütəhərrik defektlərin diffuziyasının müm-künsüzlüyü ilə izah olunur.

Elmi əsərlərinin adları 1. Влияние примесей La на диэлектрические свойства и эффект термической памяти несоизмеримой фазы сегнетоэлектрика-полупроводника TlInS2. AMEA Xəbərləri, Fizika-Riyaziyyat və Texniki Elmləri Seriyası, 2008, cild XXVII, №2, s.5-21.

2. Влияние внешних воздей-ствий на эффект термической памяти несоизмеримой фазы в сегнетоэлектриках-полупроводниках TlGaSe2. ФТТ, 2008, т. 50, №1, с. 105-114.

3. Фотодиэлектрический эффект в TlInS2 активированном примесью La.ФТТ, 2009, т. 51, №2, с. 250-255.

4. Нетрадиционные эффекты термической памяти несоизмеримой фазы в сегнетоэлектриках-полупроводниках TlInS2. ФТТ, 2009, т. 51, №3, с. 533-542.

5. Charged Defects as an Origin of the Memory Effect in Incommensurate Phase of TlInS2Ferroelectric-Semiconductors. Japanese Journal of Applied Physics (2011) 50 05FD07

Respublika, beynəlxalq və xarici ölkələrin elmi qurumlarında üzvlüyü   

 

Pedaqoji fəaliyyəti  
Digər fəaliyyəti   
Təltif və mükafatları  
Əsas iş yeri və ünvanı AMEA Fizika İnstitutuAZ1143, Bakı ş., H.Cavid pr., 131
Vəzifəsi Aparıcı elmi işçi 
Xidməti tel. (+994 12) 4329710 
Mobil tel. (+994 55) 5131773 
Ev tel. (+994 12) 4479274, (+994 12) 4334232 
Faks (+994 12) 4470456 
Elektron poçtu galib_sharifov@mail.ru