Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyası

AMEA-nın Fizika İnstitutunun laboratoriya müdirləri - akademik Ənvər Nəhmədov və f.ü.f.d. Oqtay Ələkbərovun “Sərbəst elektronların n-GaAs birləşmələrində parçalanma mexanizmi: fotoelektrik Zeeman və siklotron rezonans spektroskopiyalar haqqında məlumatlar” adlı məqaləsi  İngiltərənin “Hindawi” mətbəəsinin yüksək impakt faktorlu “Journal of Spectroscopy” jurnalında dərc olunub.

Məqalədə dielektriklərin yüksək elektrik sahəsinin təsiri altında dəlinməsinin yeni nəzəriyyəsi təklif olunub. Dayaz səviyyəli və zəif konsentrasiyalı donorla aşqarlanmış n-GaAs nümunələri geniş intervalda dəyişən bir-birinə parallel və perpendikulyar olan elektrik və maqnit sahələrində Zeeman- və siklatron- rezonans fotoelektrik spektroskopiya metodları ilə öyrənilib, böyük miqdarda eksperimental nəticələr, xüsusilə də impakt ionlaşma nəzəriyyəsinin izah edə bilmədiyi nəticələr analiz olunub.

Məqalədə qeyd olunub ki, kristalın dəlindiyi elektrik sahələrində belə elektronların qızma effekti müşahidə olunmayıb və elektron konsentrasiyasının güclü surətdə artmasına səbəb dayaz donor səviyyələrinin Kulon potensiallarının sərbəst yükdaşıyıcıları tərəfindən pərdələnməsi olub. Bu pərdələnmə nəticəsində ionlaşmış dayaz aşqarların zəbtetmə kəsiyi və aşqar potensiallarının fluktuasiyası güclü surətdə azalır.

Təklif edilən yeni nəzəriyyə kristalda müşahidə olunan bütün eksperimental faktları izah edir.

© Bütün hüquqlar qorunur. Xəbərlərdən istifadə edərkən www.science.gov.az saytına istinad zəruridir.